IXTN27N80 时间：2025/8/6 1:00:52 阅读：30

IXTN27N80 是一款由 IXYS 公司制造的高电压、高电流 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于需要高效能和高可靠性的电源应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制和逆变器等。这款 MOSFET 采用 TO-247 封装，具有良好的热性能和高功率耗散能力。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极电流（Id）：27A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：800V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω（最大值）
　　功率耗散（Ptot）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXTN27N80 具有低导通电阻，能够显著降低导通损耗，提高电源转换效率。其高击穿电压（800V）使其适用于高电压输入的应用，如工业电源和高压电机驱动系统。此外，该器件具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。
　　该 MOSFET 的封装设计（TO-247）提供了良好的散热性能，能够在高功率条件下保持稳定运行。它还具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供一定程度的保护，增强系统的可靠性。
　　IXTN27N80 的栅极驱动要求相对较低，可以在较宽的栅极电压范围内正常工作（±30V），这使得它与多种驱动电路兼容。此外，该器件的热阻较低，有助于在高负载条件下保持较低的结温，从而延长使用寿命。

应用

IXTN27N80 主要用于高电压和高功率应用场景，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机控制、照明系统和不间断电源（UPS）。由于其高耐压能力和高电流处理能力，该器件特别适合用于工业自动化设备和电力电子系统中的功率开关元件。
　　在电源管理领域，IXTN27N80 可用于构建高效的功率转换电路，减少能量损耗并提高整体系统效率。在电机控制应用中，该 MOSFET 可用于 PWM 控制和电机驱动，提供快速响应和稳定的输出性能。此外，它还可用于构建高压 LED 驱动电路，满足高亮度照明的需求。