RS-06K1371FT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率、低损耗的应用场景设计。它采用先进的制造工艺,在高频开关应用中表现出色,广泛用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低能量损耗并提高系统整体效率。
型号:RS-06K1371FT
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):50A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷(Qg):80nC
总功耗(Ptot):240W
工作温度范围:-55℃至+175℃
RS-06K1371FT 具有卓越的电气性能和可靠性。
1. 极低的导通电阻使其非常适合大电流应用,可显著减少传导损耗。
2. 快速开关速度降低了开关损耗,提高了高频操作下的效率。
3. 高击穿电压确保了在高压环境下的稳定性。
4. 优异的热稳定性和耐用性使其能够在极端温度条件下长期运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
此外,其封装设计优化了散热性能,便于集成到紧凑型电路板中。
RS-06K1371FT 可应用于多种电子设备和系统:
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS) 和逆变器。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
5. 高效 LED 驱动器和其他需要高性能功率开关的应用。
由于其强大的电流承载能力和低损耗特性,这款芯片特别适合对能效要求较高的场合。
RS-06K1371F, IRFZ44N, FDP5570N