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BW-N40W5+ 发布时间 时间:2025/12/28 12:40:34 查看 阅读:45

BW-N40W5+ 是一款由Belling(贝岭)公司推出的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理、开关电路和电机驱动等高效率、高频率的电子系统中。该器件采用先进的沟槽型场效应晶体管技术,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点,适用于DC-DC转换器、电池管理系统、LED驱动电源以及各类消费类电子产品中的功率控制模块。BW-N40W5+ 封装形式为TO-252(DPAK),具有良好的散热性能和机械强度,适合在工业级温度范围内稳定工作。该MOSFET设计注重能效与可靠性,在满足高性能需求的同时兼顾成本效益,是许多中低压功率应用的理想选择之一。其引脚配置清晰,便于PCB布局与自动化装配,进一步提升了其在现代电子制造中的适用性。
  作为国产功率器件的代表型号之一,BW-N40W5+ 在替代进口同类产品方面表现出色,支持本土化供应链建设。它不仅符合RoHS环保要求,还通过了多项可靠性测试,确保在复杂电磁环境和负载变化条件下仍能保持稳定的电气性能。此外,该器件对栅极驱动电压的要求较为宽泛,兼容常见的3.3V或5V逻辑电平驱动信号,增强了其在不同控制系统中的适应能力。总体而言,BW-N40W5+ 凭借其优异的电气特性、稳健的封装设计和广泛的应用兼容性,已成为众多电源和功率控制方案中的关键元件。

参数

型号:BW-N40W5+
  类型:N沟道MOSFET
  封装:TO-252 (DPAK)
  漏源电压(VDS):40V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):75A @ 25°C
  脉冲漏极电流(IDM):300A
  导通电阻(RDS(on)):3.2mΩ @ VGS=10V, 3.8mΩ @ VGS=4.5V
  阈值电压(Vth):2.0V ~ 3.0V
  输入电容(Ciss):3600pF @ VDS=20V
  输出电容(Coss):950pF @ VDS=20V
  反向恢复时间(Trr):28ns
  工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
  栅极电荷(Qg):50nC @ VGS=10V

特性

BW-N40W5+ 采用先进的沟槽式MOSFET工艺制造,具备极低的导通电阻RDS(on),典型值仅为3.2mΩ(在VGS=10V条件下),这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗,提高了整体系统的能效表现。特别是在大电流应用场景下,如大功率DC-DC变换器或电池供电系统中,低RDS(on)意味着更小的发热和更高的能量利用率,有助于简化散热设计并提升设备可靠性。同时,该器件在较低的栅极驱动电压(如4.5V)下仍能维持较低的导通电阻(3.8mΩ),使其能够兼容多种驱动IC输出电平,包括基于3.3V微控制器的控制电路,从而增强了系统设计的灵活性。
  该MOSFET具有优异的开关特性,输入电容Ciss为3600pF,输出电容Coss为950pF,在高频开关应用中表现出良好的动态响应能力。其栅极电荷Qg仅为50nC(@VGS=10V),意味着驱动电路所需提供的能量较少,有利于降低驱动损耗并提高开关频率上限。反向恢复时间Trr为28ns,表明体二极管的恢复特性较优,减少了在桥式电路或续流应用中可能出现的尖峰电压和电磁干扰问题,提升了系统运行的稳定性与安全性。
  BW-N40W5+ 支持高达75A的连续漏极电流(ID)和300A的脉冲漏极电流(IDM),展现了强大的电流承载能力,适用于瞬态负载变化剧烈的应用场景,如电机启动、电源浪涌保护等。其最大漏源电压为40V,适合用于12V、24V等中低压直流电源系统。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,可在恶劣环境温度下稳定运行,满足工业级和部分汽车级应用的可靠性要求。TO-252封装不仅提供了良好的热传导路径,还便于安装散热片,进一步增强其在高功耗条件下的长期稳定性。

应用

BW-N40W5+ 广泛应用于各类需要高效功率切换和能量管理的电子系统中。典型应用包括开关模式电源(SMPS)、同步整流DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)、电动工具电源模块、LED恒流驱动电源以及UPS不间断电源等。在这些应用中,该MOSFET常被用作主开关管或同步整流管,利用其低导通电阻和快速开关特性来提升电源转换效率,减少能量损耗。
  在便携式设备和电动汽车的电池保护电路中,BW-N40W5+ 可作为充放电控制开关,实现对电池电流的精确控制和过流保护功能。其高电流承载能力和快速响应特性使其能够在故障发生时迅速切断回路,保障系统安全。此外,在电机驱动领域,尤其是在无刷直流电机(BLDC)或步进电机的H桥驱动电路中,该器件可用于构建高效的半桥或全桥拓扑结构,提供可靠的功率输出和良好的热管理性能。
  由于其封装形式为TO-252,具有较好的机械强度和焊接可靠性,因此也适用于自动化贴片生产线,广泛用于工业控制板、电源适配器、通信设备电源模块等大批量生产的电子产品中。同时,该器件的性价比优势明显,特别适合追求高性能与低成本平衡的国产化替代项目,在推动核心元器件自主可控方面具有重要意义。

替代型号

IRF1404ZPBF
  STP75NF40Z
  FDP440N40V

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BW-N40W5+参数

  • 现有数量6现货
  • 价格1 : ¥684.65000盒
  • 系列-
  • 包装盒
  • 产品状态在售
  • 衰减值40dB
  • 频率范围0 Hz ~ 18 GHz
  • 功率 (W)5W
  • 阻抗50 Ohms
  • 封装/外壳N 型直插式模块