时间：2025/8/6 9:17:59
阅读：22
IXTN110N20L2是一款由IXYS公司制造的高功率MOSFET晶体管，主要用于高电流和高电压的应用。这款晶体管采用了先进的技术，确保了在高效率和高可靠性方面的表现。其设计适用于电源管理、电机控制、逆变器和各种工业应用。
类型：N通道MOSFET
最大漏极电流：110A
最大漏极-源极电压：200V
最大栅极-源极电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约3.2mΩ
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-247
IXTN110N20L2具有低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够有效减少功率损耗和发热。其高电压耐受能力（200V）使其适用于高电压系统设计。此外，该晶体管的封装设计（TO-247）有助于散热，从而提高器件的可靠性和寿命。
该器件的栅极驱动电压范围为±20V，使其兼容多种驱动电路。它的高电流容量和低导通电阻特性相结合，使其在高功率应用中表现出色。IXTN110N20L2的工作温度范围广泛，适用于严苛的工业环境。
IXTN110N20L2广泛应用于电源转换器、逆变器、电机驱动器、电池管理系统和工业自动化设备。由于其高电流和高电压特性，特别适合用于需要高效能和高可靠性的系统中。例如，在电动汽车充电设备、太阳能逆变器和高功率电源供应器中，该晶体管可以提供出色的性能。
IXFN110N20L2, IRFP4668, APT110N20L
