时间：2025/7/22 18:55:07
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MG500Q1US1 是一款由 ON Semiconductor 生产的功率 MOSFET 晶体管，专为高功率应用而设计。该器件具有低导通电阻和高电流容量，适合用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机控制等应用。其封装形式为 TO-247，便于散热和安装。该器件在高温环境下也能保持稳定的工作性能。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流 (ID)：500A
漏源电压 (VDS)：100V
栅源电压 (VGS)：±20V
导通电阻 (RDS(on))：1.2 mΩ
功耗 (PD)：300W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
MG500Q1US1 MOSFET 的主要特性包括低导通电阻，有助于减少导通损耗并提高效率；高电流承载能力使其适用于高功率系统；宽温度范围保证其在极端环境下的稳定性；该器件还具有良好的热稳定性和抗短路能力，确保在高应力条件下依然可靠运行。此外，其TO-247封装提供了优良的散热性能，便于在高功率密度设计中使用。
该器件采用了先进的沟槽栅极技术，优化了开关特性和导通性能，降低了开关损耗。其内部结构设计减少了寄生电容，从而提高了高频应用的效率。此外，MG500Q1US1 还具有良好的抗雪崩能力，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。
在封装方面，TO-247封装不仅提供了良好的散热能力，还支持多种安装方式，便于集成到不同的电路设计中。该器件的引脚布局经过优化，减少了电路中的寄生电感，提高了整体性能。
MG500Q1US1 广泛应用于高功率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器、工业自动化系统、不间断电源（UPS）以及电动汽车充电系统等高功率电子设备中。其高电流容量和低导通电阻使其成为需要高效能和高可靠性的应用的理想选择。
IXFN500N10T, IXYS IXFN500N10T
