类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：5A
　　最大漏源电压（VDS）：150V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.85Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：15nC（典型）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220

IXTM5P15具有多项优良特性，适用于高要求的功率电子系统。其低导通电阻（Rds(on)）可以有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的耐压能力（VDS为150V），适合中高功率的开关应用。
　　该MOSFET采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适用于多种安装方式，包括散热片安装和PCB直接焊接。这种封装形式也便于在工业环境中进行维护和更换。
　　IXTM5P15还具备快速开关特性，栅极电荷（Qg）较小，这有助于降低开关损耗，从而提升整体系统的响应速度和效率。这种特性在高频率开关应用中尤为重要。
　　该器件的热稳定性优异，能够在极端温度环境下正常运行，其工作温度范围为-55°C至+175°C，适用于高温和高可靠性要求的工业环境。此外，该MOSFET具备良好的短路和过载保护能力，提高了系统的安全性和可靠性。

IXTM5P15广泛应用于多种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、照明系统以及工业自动化设备。在电源管理领域，该器件用于高效率的功率转换和稳压电路，提供稳定可靠的输出电压。
　　在电机控制方面，IXTM5P15可用于直流电机的PWM调速控制，提供快速响应和精确的转速调节。其高耐压和低导通电阻特性使其在大电流负载条件下仍能保持良好性能。
　　此外，该MOSFET还适用于LED照明系统中的驱动电路，用于控制大功率LED的亮灭和调光。在汽车电子和工业自动化设备中，IXTM5P15也可用于各种高功率开关控制和负载管理任务。

IRF540N, FQP15N15, STP15NF15, SiHR15N150