时间：2025/8/5 15:45:12
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IXTT170N10P-TR 是一款由 IXYS 公司生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电流、高频率和低导通电阻的应用设计，适用于多种功率电子设备，如电源管理、电机控制、DC-DC转换器、逆变器等。IXTT170N10P-TR 采用先进的平面沟槽技术，具备较低的导通损耗和较高的开关效率，使其在高负载条件下仍能保持稳定的工作性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：170A（在Tc=25°C时）
导通电阻(Rds(on))：≤5.8mΩ（最大值，Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263（表面贴装）
功率耗散(Pd)：250W
输入电容(Ciss)：约5000pF
栅极电荷(Qg)：约180nC
IXTT170N10P-TR 具备一系列优异的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）能够显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其适用于需要大电流和低电压降的应用场景。其次，该MOSFET采用TO-263封装，具备良好的散热性能，有助于在高电流负载下保持稳定的工作温度。此外，其高栅极电荷（Qg）意味着在开关过程中需要较大的驱动电流，因此在高频开关应用中需配备适当的驱动电路以确保快速开关和降低开关损耗。
该器件的工作温度范围为-55°C至+175°C，具有良好的热稳定性和耐久性，适合在恶劣环境条件下使用。输入电容（Ciss）约为5000pF，这影响了其开关速度和驱动要求，因此在高频应用中需要考虑驱动器的输出能力和响应时间。最大漏极电流可达170A，使其适用于高功率密度设计，如电池管理系统、电机驱动和太阳能逆变器等。
此外，IXTT170N10P-TR 的封装形式为表面贴装（SMD），便于自动化生产和PCB布局优化。该器件在设计上还考虑了短路保护和过热保护的兼容性，提高了整体系统的可靠性。
IXTT170N10P-TR 被广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于：1. 电源管理系统，如服务器电源、通信设备电源和工业电源；2. 电机控制和驱动电路，包括直流无刷电机、步进电机和伺服电机控制；3. DC-DC转换器和AC-DC电源适配器；4. 太阳能逆变器和储能系统；5. 电池管理系统（BMS）和电动汽车充电设备；6. 工业自动化和电机驱动器模块。其高电流能力和低导通电阻使其在需要高效能和高可靠性的应用场景中特别受欢迎。
IXTT170N10L-TR, IXTK170N10P-TC, IXTK170N10L-TC
