H27UCG08UDAYR-BC 是一款由SK Hynix(海力士)公司制造的NAND闪存芯片,属于其H27U系列的一部分。该型号是一款高性能、低功耗的NAND闪存器件,广泛用于需要大容量存储和快速数据访问的应用场景。H27UCG08UDAYR-BC采用8GB的存储容量,支持x8接口模式,适用于嵌入式系统、SSD(固态硬盘)、工业设备和消费类电子产品。该芯片具备较高的耐用性和稳定性,是许多现代设备中常用的存储解决方案之一。
容量:8GB
接口类型:x8 NAND
工作电压:1.8V - 3.3V兼容
封装类型:TSOP
数据读取速度:最高可达50MB/s
数据写入速度:最高可达15MB/s
擦除速度:块擦除时间约1.5ms
页大小:4KB + 128B ECC
块大小:128KB
ECC要求:需要8位或以上ECC校正
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
H27UCG08UDAYR-BC 是一款高性能的NAND闪存芯片,具备多个显著的技术特性和优势。首先,该芯片采用8GB的大容量设计,能够满足现代设备对存储空间日益增长的需求,特别适用于需要大量数据存储的工业控制系统、嵌入式设备和消费电子产品。
其次,该芯片支持x8接口模式,提供更高的数据传输带宽,使其在数据读写操作中表现出更高的效率。最大读取速度可达50MB/s,写入速度则可达15MB/s,这种速度特性使其在需要快速启动和高效数据处理的应用中表现优异。
此外,H27UCG08UDAYR-BC 的工作电压为1.8V至3.3V,具备良好的电压兼容性,能够在多种电源条件下稳定运行。这种宽电压设计增强了其在不同系统中的适应能力,同时有助于降低功耗,延长设备的电池寿命。
该芯片采用TSOP封装形式,具备良好的热稳定性和机械可靠性,适合在工业级环境下运行。其工作温度范围为-40°C至+85°C,能够适应严苛的环境条件,确保在极端温度下依然稳定工作。
在数据可靠性方面,H27UCG08UDAYR-BC采用了4KB页大小和128字节的ECC(错误校正码)区域,支持强大的错误检测和纠正能力,确保数据完整性。建议使用8位或以上ECC校正机制,以提高数据存储的可靠性。
最后,该芯片的擦除操作仅需约1.5毫秒,每个块的大小为128KB,这种结构设计提高了擦写效率,减少了存储管理的复杂度。
H27UCG08UDAYR-BC NAND闪存芯片广泛应用于多种需要非易失性大容量存储的电子设备和系统中。由于其高容量、高速度和低功耗特性,该芯片非常适合用于嵌入式系统,如工业控制设备、自动化系统和智能仪表等,这些设备通常需要稳定且持久的存储解决方案。
此外,该芯片也常用于固态硬盘(SSD)的制造,特别是在工业级和嵌入式SSD中,作为系统启动盘或数据缓存使用。其高速读写能力和宽温工作范围使其能够在恶劣环境中稳定运行。
在消费电子领域,H27UCG08UDAYR-BC 也可用于数字电视、机顶盒、数码相机、便携式媒体播放器等设备中,作为主存储介质或系统引导存储器。
由于其TSOP封装形式和标准的NAND接口,该芯片易于集成到各种主板设计中,并可与多种控制器兼容,进一步扩大了其应用范围。
H27UCG08U8BY-BC, H27UCG08UDAYR-BCR, H27UCG08UDA, H27UCG08UDA(H)R-BC