时间：2025/8/25 3:20:16
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FDN357是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和开关电路中。该器件具有低导通电阻、高电流能力和良好的热稳定性，适用于各种高效率电源转换应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大漏极电流（Id）：4.6A
导通电阻（Rds(on)）：0.043Ω（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.1V ~ 2.5V
功率耗散（Pd）：2.5W
封装类型：SOT-223
FDN357N沟道MOSFET具有多个优良特性，适用于各种功率控制场合。其主要特性如下：
首先，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），通常为0.043Ω，这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高整体效率。此外，低Rds(on)也有助于减少发热，提高器件的可靠性。
其次，FDN357的最大漏源电压为30V，最大漏极电流为4.6A，具备较高的电流承载能力，适合用于中等功率的DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。
该器件采用SOT-223封装，具有良好的散热性能，并且适用于表面贴装工艺，便于在PCB上安装和布局。SOT-223封装也有助于提高热稳定性，确保器件在较高工作温度下仍能正常运行。
此外，FDN357的栅极阈值电压范围为1.1V至2.5V，这意味着它可以与多种逻辑电平（如3.3V或5V）兼容，便于与微控制器或其他数字电路配合使用。
最后，该MOSFET具有较低的开关损耗和良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。这使得FDN357适用于各种工业控制、电源管理和电池供电设备。
FDN357适用于多种电源管理和功率控制应用，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、电源管理模块、便携式电子设备中的电源开关等。
FDN340N, FDS6675, IRF7404, Si2302DS
