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PSA4176C-LF 发布时间 时间:2025/7/22 10:06:08 查看 阅读:4

PSA4176C-LF 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高可靠性的电源管理和功率转换应用。PSA4176C-LF 采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻(RDS(on))和高功率密度,适用于负载开关、DC-DC 转换器、同步整流器等应用场景。

参数

类型:P 沟道 MOSFET
  最大漏极电流(ID):-7.0A
  最大漏源电压(VDS):-30V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):40mΩ @ VGS = -10V,65mΩ @ VGS = -4.5V
  栅极电荷(Qg):13nC @ VGS = -10V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-236(SOT-23)

特性

PSA4176C-LF MOSFET 具备多项优异特性,首先,其低导通电阻显著降低了导通损耗,从而提高了系统效率。在 VGS = -10V 时,RDS(on) 仅为 40mΩ,而即使在较低的栅极驱动电压(如 -4.5V)下,导通电阻仍保持在 65mΩ,使其适用于多种电源管理场景。
  其次,该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 工艺,优化了导通性能与开关性能之间的平衡。这种工艺不仅提升了器件的电流承载能力,还降低了开关损耗,从而在高频开关应用中表现出色。
  此外,PSA4176C-LF 的最大漏极电流为 -7.0A,漏源电压额定值为 -30V,适用于中等功率的负载开关、同步整流和 DC-DC 转换器应用。其栅极电荷(Qg)为 13nC,在高速开关应用中能够减少驱动损耗。
  该器件的封装为 TO-236(也称为 SOT-23),是一种小型表面贴装封装,有助于节省 PCB 空间,同时具备良好的热性能。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,确保了在严苛环境下的稳定运行,适用于工业级和汽车级应用。
  PSA4176C-LF 还具备较高的栅极电压容限(±20V),防止因过高的驱动电压导致栅极击穿,增强了器件的可靠性和耐用性。

应用

PSA4176C-LF 主要应用于电源管理系统,例如负载开关、同步整流器、DC-DC 转换器以及电池管理系统。其低导通电阻和小型封装使其非常适合空间受限的便携式电子设备,如笔记本电脑、智能手机、电源适配器和工业自动化设备。此外,该器件也广泛用于汽车电子系统,如车载充电器、电机控制模块和电池管理系统。

替代型号

Si4435BDY-T1-E3、IRML00403PBF、AO4406A、FDMS3618、NTMFS4C10N

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