时间：2025/7/22 10:06:08
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PSA4176C-LF 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高可靠性的电源管理和功率转换应用。PSA4176C-LF 采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高功率密度，适用于负载开关、DC-DC 转换器、同步整流器等应用场景。
类型：P 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：-7.0A
最大漏源电压（VDS）：-30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：40mΩ @ VGS = -10V，65mΩ @ VGS = -4.5V
栅极电荷（Qg）：13nC @ VGS = -10V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-236（SOT-23）
PSA4176C-LF MOSFET 具备多项优异特性，首先，其低导通电阻显著降低了导通损耗，从而提高了系统效率。在 VGS = -10V 时，RDS(on) 仅为 40mΩ，而即使在较低的栅极驱动电压（如 -4.5V）下，导通电阻仍保持在 65mΩ，使其适用于多种电源管理场景。
其次，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 工艺，优化了导通性能与开关性能之间的平衡。这种工艺不仅提升了器件的电流承载能力，还降低了开关损耗，从而在高频开关应用中表现出色。
此外，PSA4176C-LF 的最大漏极电流为 -7.0A，漏源电压额定值为 -30V，适用于中等功率的负载开关、同步整流和 DC-DC 转换器应用。其栅极电荷（Qg）为 13nC，在高速开关应用中能够减少驱动损耗。
该器件的封装为 TO-236（也称为 SOT-23），是一种小型表面贴装封装，有助于节省 PCB 空间，同时具备良好的热性能。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行，适用于工业级和汽车级应用。
PSA4176C-LF 还具备较高的栅极电压容限（±20V），防止因过高的驱动电压导致栅极击穿，增强了器件的可靠性和耐用性。
PSA4176C-LF 主要应用于电源管理系统，例如负载开关、同步整流器、DC-DC 转换器以及电池管理系统。其低导通电阻和小型封装使其非常适合空间受限的便携式电子设备，如笔记本电脑、智能手机、电源适配器和工业自动化设备。此外，该器件也广泛用于汽车电子系统，如车载充电器、电机控制模块和电池管理系统。
Si4435BDY-T1-E3、IRML00403PBF、AO4406A、FDMS3618、NTMFS4C10N
