类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：250V
　　漏极电流（ID）：15A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220AB

IXTL250 的核心特性之一是其较低的导通电阻（RDS(on)），这使得在工作时能够显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件具备较高的耐压能力，漏源电压可达到 250V，使其能够在高压环境下稳定运行。
　　这款 MOSFET 还具有较高的电流承载能力，漏极电流可达 15A，能够满足大多数中高功率应用的需求。其 ±20V 的栅极电压范围确保了器件在各种驱动条件下都能可靠工作，同时具备较好的抗干扰能力。
　　IXTL250 采用了 TO-220AB 封装，具备良好的散热性能，能够有效降低工作温度，从而延长器件的使用寿命。该封装形式也便于安装在散热器上，进一步提升热管理能力。此外，其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于多种环境条件下的应用。
　　该器件的高速开关特性使其非常适合用于需要频繁开关的应用场合，如开关电源、DC-DC 转换器和马达控制等。同时，其良好的热稳定性和可靠性也使其在工业自动化和电源管理系统中得到了广泛应用。

IXTL250 主要用于以下几类应用：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器、马达控制、逆变器以及工业自动化设备中的功率开关。其高效率和高耐压特性使其在需要高效能和高可靠性的电源管理系统中表现尤为突出。

IXTP14N250, IRF840, FDPF250N10