时间：2025/8/6 9:40:14
阅读：26
IXTK140N30P是一款由IXYS公司制造的高功率MOSFET晶体管，设计用于高电流和高电压应用。该器件具有优异的导通特性和快速的开关性能，适合用于电力电子领域中的各种高要求应用。
类型：MOSFET
最大漏源电压（Vds）：300V
最大连续漏极电流（Id）：140A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.017Ω
最大功率耗散（Pd）：300W
封装类型：TO-247
IXTK140N30P具有低导通电阻，这使其在高电流条件下能够保持较低的功耗和温升。此外，该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体效率。它还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。这种MOSFET采用先进的工艺制造，确保了其在高电压和高电流条件下的可靠性。
该器件的设计使其能够承受较高的dv/dt和di/dt应力，适用于高频开关应用。其封装形式为TO-247，便于散热和安装，适用于各种高功率电路板布局。此外，IXTK140N30P具有良好的抗过载能力和短路保护特性，进一步增强了其在恶劣工作环境中的可靠性。
IXTK140N30P广泛应用于电源转换器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及工业自动化设备等高功率电子系统中。由于其优异的电气特性和可靠性，它也常用于电动汽车充电设备和电池管理系统。
IXFH140N30P, IXTK140N30Q
