VBO125-18NO7 时间：2025/8/6 7:00:21 阅读：20

VBO125-18NO7 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）型号，属于N沟道增强型MOSFET。该器件具有高效率、低导通电阻和优异的热性能，适用于多种高功率和高频率的应用场景。该型号通常采用TO-220封装，具备良好的散热能力，适用于工业控制、电源转换和电机驱动等领域。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：180V
　　最大漏极电流（ID）：125A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.018Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V
　　最大功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220

特性

VBO125-18NO7 MOSFET 具备多项优良特性，使其在高功率电子系统中表现出色。
　　首先，该器件的低导通电阻（RDS(on)）仅为0.018Ω，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。这对于开关电源、DC-DC转换器和逆变器等应用至关重要。
　　其次，该MOSFET的最大漏源电压为180V，最大漏极电流可达125A，具备较强的电流承载能力和电压耐受性，适用于高压高电流的电源管理系统。
　　此外，该器件采用TO-220封装，具有良好的热管理和散热性能，能够在高温环境下稳定运行。其最大功耗为300W，进一步增强了其在高功率应用中的可靠性。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围为2V至4V，适用于常见的逻辑电平驱动电路，便于与微控制器、PWM控制器等集成使用。
　　最后，VBO125-18NO7 还具备良好的抗雪崩能力和短路保护特性，增强了器件在恶劣工况下的耐用性，适合工业级和汽车电子应用。

应用

VBO125-18NO7 MOSFET 主要应用于需要高电流、高效率和高可靠性的电子系统中。常见的应用包括：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、电池管理系统（BMS）、工业自动化控制、UPS不间断电源、电动车和储能系统中的功率控制模块等。由于其优异的导通特性和高功率处理能力，该器件特别适合用于需要高效能转换和频繁开关操作的场合。