IXTH9N95 时间：2025/8/5 21:43:24 阅读：16

IXTH9N95是一款高电压、高电流能力的N沟道增强型功率MOSFET，由IXYS公司制造。这款MOSFET专为高功率开关应用而设计，适用于如电源转换、电机控制、UPS系统以及工业自动化设备等应用场景。IXTH9N95具有较低的导通电阻（Rds(on)）和出色的热性能，使其能够在高电流条件下稳定工作。其封装形式为TO-247，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：950V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：9A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXTH9N95具有多个显著的性能特点，首先是其高耐压能力，漏源电压可高达950V，使其适用于高电压工作环境。其次，该器件的导通电阻仅为0.45Ω，在高电流工作条件下可有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，IXTH9N95的封装形式为TO-247，具备良好的散热性能，适用于高功率密度的设计。该器件还具有快速开关特性，能够支持高频开关操作，减少开关损耗。
　　在可靠性方面，IXTH9N95具有较高的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态高压条件下保持稳定运行。同时，其栅极驱动要求较低，兼容常见的10V至15V驱动电路，简化了驱动电路的设计。由于其优异的热稳定性和抗过载能力，IXTH9N95非常适合在严苛环境中使用。