时间：2025/12/29 14:58:39
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IXTH88N30是一款由Littelfuse公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高功率应用中的开关操作。该器件设计用于在高电压和大电流条件下高效工作，适用于电源、电机控制、工业自动化、电池管理系统以及电力电子变换器等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：88A
最大漏源电压：300V
栅极阈值电压：2V至4V
导通电阻（Rds(on)）：最大值0.035Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
IXTH88N30具有较低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流条件下运行时功耗更低，从而提高系统效率。该器件采用先进的平面技术，确保了高可靠性和稳定性。
此外，IXTH88N30的封装设计具有良好的散热性能，使其能够在高功率密度应用中保持稳定运行。其高耐压能力和大电流处理能力，使其非常适合用于需要频繁开关操作的高功率环境。
该MOSFET还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统的能效。同时，其内部结构优化，减少了寄生电容，提高了高频工作的能力，适用于高频变换器和逆变器的设计。
在安全性和保护方面，IXTH88N30具有过热保护和短路保护功能，能够在极端工作条件下防止器件损坏，延长使用寿命。
IXTH88N30广泛应用于各种高功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、电池管理系统（BMS）、电焊设备、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统等。其高效的能效和高可靠性使其成为工业和能源管理领域的理想选择。
IXFH88N30P, IRFP460LC, FDPF88N30
