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RF071L4STE25 发布时间 时间:2025/5/23 0:03:45 查看 阅读:9

RF071L4STE25是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的射频功率晶体管,广泛应用于无线通信领域。该器件采用先进的LDMOS技术制造,具有高输出功率、高增益和良好的线性度等特性,适用于蜂窝基站、无线电通信设备以及其他射频功率放大器应用。其封装形式为符合行业标准的SOT-89,能够提供出色的散热性能。
  RF071L4STE25在设计时注重效率与可靠性,能够在高频条件下保持稳定运行,同时支持宽带操作。

参数

型号:RF071L4STE25
  制造商:STMicroelectronics
  类型:射频功率晶体管
  工艺:LDMOS
  工作频率范围:30 MHz 至 500 MHz
  最大输出功率:12 dB
  电源电压:28 V
  封装:SOT-89
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C

特性

RF071L4STE25具备以下关键特性:
  1. 高输出功率:在28V供电下可达到50W的最大输出功率,适合需要大功率输出的应用场景。
  2. 宽带操作能力:覆盖30MHz至500MHz的工作频率范围,使其适用于多种无线通信标准。
  3. 高效率:优化的电路设计确保了在高频段内的高效率表现,从而减少能量损耗并提升系统整体性能。
  4. 稳定性强:即使在极端环境温度条件下也能保持稳定的电气性能。
  5. 良好的线性度:对于现代数字调制信号处理非常关键,有助于降低失真和干扰。
  6. 小型化封装:SOT-89封装不仅节省空间,还提供了高效的热传导路径以增强散热效果。

应用

RF071L4STE25主要应用于以下领域:
  1. 蜂窝基站:用于GSM、CDMA、WCDMA等标准下的功率放大器模块。
  2. 无线电通信:包括业余无线电、军用通信及专业移动无线电(PMR)系统。
  3. 测试与测量设备:例如信号发生器、网络分析仪中的射频功率源。
  4. 工业、科学和医疗(ISM)设备:如无线传感器网络、RF加热装置等。
  5. 广播系统:FM广播发射机及其他相关应用中的功率放大级。

替代型号

RF071L4STF25, RF071L4STD25

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RF071L4STE25参数

  • 特色产品Fast Recovery Diodes
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)400V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.25V @ 700mA
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)25ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电10µA @ 400V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DO-214AC,SMA
  • 供应商设备封装PMDS
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称RF071L4STE25DKR