时间：2025/8/5 19:20:40
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IXTH67N08A是一款由Littelfuse公司生产的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率电子应用中。该器件具有高电流容量和低导通电阻，适用于需要高效能和高可靠性的场合。
类型：MOSFET
技术：N沟道
最大漏极电流：67A
漏源电压：80V
导通电阻（Rds(on)）：18mΩ
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至175°C
IXTH67N08A MOSFET具有多项优良特性，使其在各种功率应用中表现出色。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下的低功率损耗，提高了系统效率。该器件的高电流容量（67A）使其能够处理大功率负载，适用于电机控制、电源转换和工业自动化等应用。此外，IXTH67N08A采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了卓越的热稳定性和可靠性。该器件的TO-247封装形式确保了良好的散热性能，适合在高温环境下工作。其宽工作温度范围（-55°C至175°C）进一步增强了其在极端环境下的适用性。
IXTH67N08A广泛应用于各种高功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、电机驱动器、工业自动化设备、电池充电器以及电动汽车中的功率管理系统。由于其高效的功率处理能力和优异的热稳定性，该器件也常用于需要高可靠性的汽车电子系统中。
IRF3205, IXTH58N08A
