类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 VDS：60V
　　最大栅源电压 VGS：±20V
　　最大连续漏极电流 ID：13A
　　最大导通电阻 RDS(on)：约 32mΩ（VGS=10V 时）
　　最大功率耗散 PD：40W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

FQD13N062 具备多项优良特性，使其适用于各种高效率功率转换应用。
　　首先，其低导通电阻 RDS(on) 使得在导通状态下功耗显著降低，从而提高系统效率并减少散热需求。在 VGS=10V 的条件下，RDS(on) 约为 32mΩ，这在同类器件中具有较强的竞争力。
　　其次，该 MOSFET 支持高达 13A 的连续漏极电流，能够满足高功率需求的应用场景。此外，其最大漏源电压为 60V，适用于多种中低压电源转换系统，如服务器电源、DC-DC 转换器、电机驱动和电池管理系统等。
　　在封装方面，FQD13N062 采用 TO-252（DPAK）封装，这种封装形式具有良好的热性能和机械稳定性，适合表面贴装工艺，有助于提高 PCB 的组装效率。
　　该器件还具备较强的抗雪崩能力，可在高能脉冲条件下提供一定的保护作用，提高系统的可靠性。此外，其栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 至 20V 的栅极电压，便于与多种驱动电路配合使用。
　　总体而言，FQD13N062 是一款性能优异、可靠性高的功率 MOSFET，广泛适用于各种中低压高电流应用场合。

FQD13N062 常用于多种功率电子系统中，主要应用包括但不限于以下领域：
　　在电源管理领域，该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和稳压模块中，用于提高能量转换效率和减小系统体积。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效电源设计的理想选择。
　　在电池管理系统中，FQD13N062 可用于电池充放电控制、过流保护以及电池均衡电路，确保电池组的安全运行和延长使用寿命。
　　此外，该器件也适用于电机驱动器、H 桥电路和马达控制模块，其高耐压和大电流能力能够支持多种中小型电机的驱动需求。
　　在工业自动化和嵌入式系统中，FQD13N062 可作为高边或低边开关使用，用于控制各种负载，如继电器、电磁阀、LED 驱动器和加热元件等。
　　该器件还可用于服务器电源、通信设备电源、便携式电子设备电源以及汽车电子系统中的功率控制电路。

FQP13N06L, FDS6675, IRFZ44N, AO4406, FDS6680