时间：2025/6/18 9:29:18
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BUK7S1R2-40H 是一款由安森美（onsemi）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-263-3L（D2PAK）封装形式，具有低导通电阻和高效率的特性，适用于多种开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用场合。
BUK7S1R2-40H 以其出色的热性能和电气性能著称，能够有效减少功率损耗并提升系统效率。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：58A
导通电阻：1.2mΩ
栅极阈值电压：2V～4V
工作结温范围：-55℃～175℃
BUK7S1R2-40H 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗，提升整体效率。
2. 高电流承载能力，适合大功率应用场景。
3. 较宽的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
4. 快速开关速度，支持高频应用。
5. TO-263封装提供良好的散热性能。
6. 符合RoHS标准，环保设计。
BUK7S1R2-40H 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器，用于工业及汽车电子设备。
3. 电机驱动控制电路。
4. 负载开关和保护电路。
5. 可再生能源系统中的逆变器和转换器模块。
6. 各类高性能功率管理解决方案。
IRLB8749PBF, BUK7S2R0-40H
