型号：SCDB2D18MT180
　　通道数：2
　　方向配置：双向
　　数据速率：最高150Mbps
　　隔离耐压：5000VRMS
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：±100kV/μs
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　供电电压（VCC）：2.7V 至 5.5V
　　低功耗静态电流：每通道典型值2.5mA
　　传播延迟：典型值10ns
　　脉冲宽度失真：≤5ns
　　安全认证：UL 1577、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5 VDE0884-10
　　绝缘材料：聚酰亚胺
　　封装类型：16引脚SOIC-Wide
　　爬电距离：≥8mm
　　电气间隙：≥8mm

SCDB2D18MT180采用基于硅基芯片工艺的电容隔离技术，通过在芯片内部集成高介电强度的聚酰亚胺绝缘层来实现信号的跨隔离传输。这种结构不仅提供了优异的隔离性能，还具有极高的长期可靠性，避免了传统光耦合器中LED老化带来的性能衰减问题。每个通道都配备了高频调制与解调电路，将输入端的数字信号转换为高频差分信号，经过电容隔离屏障后在输出端还原为原始逻辑状态，从而实现高速、低延迟的数据传输。该器件具备出色的共模瞬态抗扰度（CMTI），可达±100kV/μs，确保即使在存在快速电压变化的高压环境中，也能保持信号完整性，防止误触发或数据错误。
　　为了适应不同的系统需求，SCDB2D18MT180支持宽电压供电范围（2.7V~5.5V），允许其在3.3V微控制器与5V传感器或外设之间进行电平转换，增强了系统的互操作性。其低功耗设计使得在常温下每通道静态电流仅为2.5mA左右，适合对能效有严格要求的应用场景。此外，该芯片内置了故障保护机制，包括开路检测、热关断和上电复位功能，确保在异常条件下自动进入安全状态，防止损坏下游电路。
　　该器件符合IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准，并通过UL1577和VDE0884-10等多项国际安全认证，支持长达25年的使用寿命。其SOIC-Wide封装具有大于8mm的爬电距离和电气间隙，满足加强绝缘要求，适用于IEC 61010、IEC 61800等工业安全规范。所有材料均符合RoHS环保标准，支持无铅回流焊工艺，便于现代自动化生产。

SCDB2D18MT180广泛用于各类需要电气隔离的高性能电子系统中。在工业自动化领域，它常被用于PLC模块、数字I/O隔离板、现场总线接口中，以防止来自电机、继电器或其他大功率设备的干扰信号影响控制单元。在电机驱动系统中，该芯片可用于隔离微控制器与栅极驱动器之间的PWM信号，确保高边和低边开关管的精确控制，提升逆变器效率并降低电磁干扰。在开关电源和DC-DC转换器中，SCDB2D18MT180可用于反馈环路中的信号隔离，实现原边与副边之间的安全通信，同时提高系统的动态响应速度。
　　在可再生能源系统如光伏逆变器和风力发电控制器中，该器件用于隔离传感器采集信号与主控MCU，保障数据传输的准确性和人身安全。医疗设备中也广泛应用此类隔离器，例如病人监护仪、透析机等，用于隔离患者连接部分与主电源系统，满足严格的医用安全标准。此外，在测试与测量仪器、电池管理系统（BMS）、电动汽车充电桩等高可靠性场合，SCDB2D18MT180都能提供稳定、安全的信号隔离解决方案。其高速传输能力和强抗干扰特性使其特别适合用于SPI通信隔离，尤其是在多通道ADC/DAC与处理器之间的接口设计中表现优异。

ISO7221ADBR
　　Si8620BB-B-IS