您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXTH64N65X

IXTH64N65X 发布时间 时间:2025/8/6 7:04:41 查看 阅读:21

IXTH64N65X 是一款由 Littelfuse(原 IXYS)制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET,采用 TO-247 封装形式,广泛用于高电压和高电流的应用场合。该器件具备高耐压、低导通电阻和高可靠性等优点,适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和工业控制系统等场景。IXTH64N65X 的设计使其在高频率和高效率操作条件下表现优异。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):650V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):64A
  最大功耗(Pd):300W
  导通电阻(Rds(on)):0.11Ω
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXTH64N65X 的主要特性包括高耐压能力,使其能够在 650V 的高压环境下稳定工作,同时具备较低的导通电阻(Rds(on) 为 0.11Ω),有效降低了导通损耗,提高了整体系统的效率。该器件采用先进的沟槽栅结构技术,确保了在高频操作下的稳定性和可靠性。
  此外,IXTH64N65X 具备较强的热稳定性,能够在较高的环境温度下正常运行,同时具备良好的雪崩能量耐受能力,从而提升了器件的抗过载能力。TO-247 封装设计提供了良好的散热性能,适用于高功率密度应用,同时方便安装和散热器的配合使用。
  该 MOSFET 还具有较低的栅极电荷(Qg),有助于减少开关损耗,提高在高频率开关应用中的性能。其栅极驱动电路设计相对简单,适用于多种驱动电路配置。由于其优良的动态特性,IXTH64N65X 在开关电源、逆变器、UPS 系统以及工业自动化控制设备中得到了广泛应用。

应用

IXTH64N65X 主要应用于需要高电压和大电流能力的电力电子系统,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、不间断电源(UPS)、电机控制和驱动电路、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高可靠性和良好的热性能,该器件也常用于高功率音频放大器、太阳能逆变器以及电动汽车的电力系统中。

替代型号

IXFN64N65X, IXTH64N60X, STP65N65FA, FGP64N65S

IXTH64N65X推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXTH64N65X参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格30 : ¥104.84600管件
  • 系列Ultra X
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)64A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)51 毫欧 @ 32A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)143 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5500 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)890W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247(IXTH)
  • 封装/外壳TO-247-3