类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 0.032Ω @ VGS=10V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V ~ 4.0V @ ID=250μA
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-247AC
　　功率耗散（PD）：250W
　　漏极-源极击穿电压：200V
　　输入电容（Ciss）：约 2000pF @ VDS=25V

IXTH60N20X4 具有多个关键特性，使其适用于高性能功率应用。
　　首先，该器件采用了先进的沟道技术，使得导通电阻（RDS(on)）非常低，从而降低了导通损耗，提高了能效。在 VGS=10V 的驱动条件下，其导通电阻仅为 0.032Ω，这在 200V 级别的 MOSFET 中属于较低水平。
　　其次，该 MOSFET 的最大漏极电流为 60A，具备良好的电流承载能力，适合用于高功率负载的控制与切换。同时，其最大漏源电压为 200V，使其能够适应中高电压系统的应用需求，如工业电机驱动、不间断电源（UPS）等。
　　此外，IXTH60N20X4 的封装为 TO-247AC，具有良好的散热性能，有助于在高功率运行时保持芯片温度在安全范围内。该封装也便于安装在散热器上，提高整体系统的热管理能力。
　　该器件的栅极阈值电压范围为 2.1V 至 4.0V，适合与多种驱动电路配合使用，包括常见的 5V 和 10V 驱动器。此外，该器件的输入电容约为 2000pF，在开关过程中对驱动电路的要求适中，能够在高速开关应用中保持较好的性能。
　　最后，IXTH60N20X4 的工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，适用于严苛环境下的工业和汽车电子应用，具备较高的可靠性和稳定性。

IXTH60N20X4 主要应用于需要高电压和高电流切换能力的功率电子系统。在电源转换器领域，该器件适用于 DC-DC 转换器、AC-DC 整流器和隔离式电源模块，特别是在高效率和高功率密度要求的应用中表现优异。
　　在电机驱动方面，IXTH60N20X4 可用于无刷直流电机（BLDC）和永磁同步电机（PMSM）的控制电路，尤其是在需要高电压（如 170V~200V）供电的工业自动化设备中。此外，它也适合用于 UPS（不间断电源）系统中的逆变器和旁路开关，提供高效的能量转换和可靠的负载切换能力。
　　该器件还可用于工业加热设备、电焊机、电动工具、电动车控制系统等高功率场合。由于其具备良好的热稳定性和过载能力，因此在高温环境下也能保持稳定的性能。
　　在汽车电子领域，IXTH60N20X4 可用于车载充电器、辅助逆变器、电池管理系统（BMS）等模块，满足现代电动车和混合动力汽车对功率器件的高要求。

IRF6665, IXTH60N20D2, FDPF60N20, FDPF60N20S