时间：2025/8/6 4:30:44
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IXGC16N60B2D1 是一款由 Littelfuse（原 IXYS）制造的 N 沟道功率 MOSFET，采用碳化硅（SiC）技术，具有高效率、低导通损耗和快速开关特性。该器件专为高压和高功率应用设计，适用于电力电子变换器、工业电源、太阳能逆变器等场合。
类型：N 沟道功率 MOSFET
材料：碳化硅（SiC）
最大漏源电压（VDS）：600V
最大漏极电流（ID）：16A
导通电阻（RDS(on)）：80mΩ（最大）
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
栅极电荷（Qg）：110nC
漏极电容（Coss）：110pF
最大功耗（PD）：300W
IXGC16N60B2D1 采用先进的碳化硅技术，具有优异的导通和开关性能。其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高能效。此外，该 MOSFET 具有出色的热稳定性和高温工作能力，能够在严苛的环境条件下可靠运行。该器件的高速开关特性使其适用于高频功率变换器，从而减少外围元件的尺寸和成本。其封装设计具备良好的散热性能，有助于提高整体系统的可靠性。此外，该 MOSFET 的短路耐受能力较强，适合在高要求的工业环境中使用。
IXGC16N60B2D1 常用于各种高功率和高压应用，包括工业电源、不间断电源（UPS）、电机驱动器、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及高频功率转换器等。其优异的性能使其成为替代传统硅基 MOSFET 和 IGBT 的理想选择，特别是在需要高效率和高可靠性的场合。
SiC MOSFET 替代型号包括 IXGC16N60B3D1、CREE 的 C2M0160120D、STMicroelectronics 的 STDV16N60M5、Infineon 的 IMZA160R060M1H。
