IXTH42N15A 时间：2025/8/5 18:57:02 阅读：27

IXTH42N15A 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率和高电流能力的电源管理和功率转换应用。这款 MOSFET 设计用于高电压、高频率开关操作，具有较低的导通电阻和出色的热性能。IXTH42N15A 通常采用 TO-247 封装形式，适用于各种工业和消费类电子设备中的功率转换系统。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：150V
　　最大漏极电流(ID)：42A（在TC=25°C时）
　　导通电阻(RDS(on))：典型值为 0.044Ω
　　栅极阈值电压(VGS(th))：2V 至 4V
　　最大功耗(PD)：180W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXTH42N15A 的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低在导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件在高电流负载下表现优异，适用于需要持续高电流输出的应用。此外，IXTH42N15A 的封装设计提供了良好的热管理能力，使其能够在高温环境下稳定运行。
　　该 MOSFET 还具有快速开关能力，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、电机控制和电源管理系统。其高耐压能力（150V）使其适用于多种高电压操作场景，同时在过载或瞬态条件下具有较高的可靠性。
　　另一个重要特性是其栅极驱动要求较低，能够在较低的栅极电压下实现完全导通，这有助于简化驱动电路设计并减少额外的外围元件需求。IXTH42N15A 的热阻较低，有助于提高整体系统的热效率和长期稳定性。

应用

IXTH42N15A 广泛应用于多种功率电子系统中，包括工业电源、开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器和电池充电设备。其高电流能力和低导通损耗使其非常适合用于高频功率转换系统，例如服务器电源、UPS（不间断电源）系统和太阳能逆变器等。此外，该器件也可用于汽车电子系统、电动工具和大功率 LED 驱动器等需要高效功率控制的场合。