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CL31B475MOFNNNE 发布时间 时间:2025/7/1 9:43:50 查看 阅读:8

CL31B475MOFNNNE 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的功率 MOSFET,适用于高效率和高频开关应用。该器件采用 TO-247 封装形式,具有较低的导通电阻和较高的耐压能力,可显著提高系统效率并降低热损耗。
  该功率 MOSFET 在新能源汽车、光伏逆变器、不间断电源 (UPS) 和其他工业应用中表现出色,因其出色的开关特性和热性能而受到广泛青睐。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:40A
  导通电阻:47mΩ
  栅极电荷:160nC
  开关频率:高达 100kHz
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

CL31B475MOFNNNE 的主要特性包括:
  1. 高额定电压 (1200V),确保在高压环境下稳定运行。
  2. 极低的导通电阻 (47mΩ),减少传导损耗并提高系统效率。
  3. 快速开关速度,支持高达 100kHz 的开关频率,适合高频应用场景。
  4. 碳化硅技术的应用使其具备优异的热性能和更高的功率密度。
  5. 良好的抗电磁干扰能力,保证了在复杂环境中的可靠运行。
  6. 宽工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃),适应各种极端气候条件下的使用需求。

应用

CL31B475MOFNNNE 广泛应用于以下领域:
  1. 新能源汽车中的电机驱动控制器和车载充电器 (OBC)。
  2. 光伏逆变器,用于高效能量转换和最大化输出功率。
  3. 工业电源,例如 UPS 和直流电源模块。
  4. 开关电源 (SMPS) 中的高频整流和逆变电路。
  5. 电动工具和其他便携式设备中的高效功率管理方案。

替代型号

CL31B475MOFNNND, CL31B475MOFNNCG, CSD19538KTT

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