时间：2025/7/1 9:43:50
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CL31B475MOFNNNE 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的功率 MOSFET，适用于高效率和高频开关应用。该器件采用 TO-247 封装形式，具有较低的导通电阻和较高的耐压能力，可显著提高系统效率并降低热损耗。
该功率 MOSFET 在新能源汽车、光伏逆变器、不间断电源 (UPS) 和其他工业应用中表现出色，因其出色的开关特性和热性能而受到广泛青睐。
额定电压：1200V
额定电流：40A
导通电阻：47mΩ
栅极电荷：160nC
开关频率：高达 100kHz
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
CL31B475MOFNNNE 的主要特性包括：
1. 高额定电压 (1200V)，确保在高压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻 (47mΩ)，减少传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度，支持高达 100kHz 的开关频率，适合高频应用场景。
4. 碳化硅技术的应用使其具备优异的热性能和更高的功率密度。
5. 良好的抗电磁干扰能力，保证了在复杂环境中的可靠运行。
6. 宽工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，适应各种极端气候条件下的使用需求。
CL31B475MOFNNNE 广泛应用于以下领域：
1. 新能源汽车中的电机驱动控制器和车载充电器 (OBC)。
2. 光伏逆变器，用于高效能量转换和最大化输出功率。
3. 工业电源，例如 UPS 和直流电源模块。
4. 开关电源 (SMPS) 中的高频整流和逆变电路。
5. 电动工具和其他便携式设备中的高效功率管理方案。
CL31B475MOFNNND, CL31B475MOFNNCG, CSD19538KTT
