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IXTH40N25 发布时间 时间:2025/8/6 7:37:57 查看 阅读:15

IXTH40N25 是一款由 Littelfuse(原IXYS)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高功率开关应用,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。IXTH40N25 采用TO-247封装形式,适用于工业电源、电机控制、DC-DC转换器、太阳能逆变器等需要高效率和高可靠性的系统。该MOSFET的额定电压为250V,连续漏极电流可达40A,能够提供良好的性能和稳定性。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(VDS):250V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID@25°C):40A
  脉冲漏极电流(IDM):160A
  导通电阻(RDS(on)):最大值 48mΩ @ VGS = 10V
  栅极电荷(Qg):约 72nC @ 10V
  功率耗散(PD):250W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXTH40N25 具备多项优良特性,使其适用于高功率和高频率应用。其导通电阻低至48mΩ,可以显著减少导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具有快速开关特性,能够支持高频操作,从而减小外围元件的尺寸并提高系统功率密度。
  该MOSFET采用了先进的平面技术,提供了良好的热稳定性和高可靠性。它还具有较强的雪崩能量承受能力,能够在异常工作条件下(如负载突变或短路)保持稳定,增强系统的耐用性。
  在封装方面,TO-247封装具有良好的散热性能和机械强度,适用于高功率密度设计。此外,该器件的栅极驱动电压范围较宽(通常为10V~15V),方便与不同类型的驱动电路配合使用。
  IXTH40N25 还具有较低的输入电容和反馈电容,有助于减少开关损耗和电磁干扰(EMI),适用于对EMI要求较高的工业和通信电源系统。

应用

IXTH40N25 广泛应用于各种高功率电子系统中,如DC-DC转换器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电机驱动器、工业自动化控制设备以及功率因数校正(PFC)电路等。
  在DC-DC转换器中,该MOSFET可用于高侧或低侧开关,提供高效的电压转换功能。在UPS和太阳能逆变器中,IXTH40N25 可作为主开关器件,实现高效的能量转换和稳定的输出波形。
  此外,该器件也适用于电机控制应用,如直流无刷电机驱动和伺服控制系统,提供快速响应和精确的功率控制。在功率因数校正电路中,IXTH40N25 可以有效提升电源系统的效率和稳定性。
  由于其高可靠性和优异的热性能,IXTH40N25 也被广泛用于通信电源、服务器电源、电池充电器以及工业自动化设备中的功率控制部分。

替代型号

IXTH40N30、IRFP460、IXTH50N25、IXFH40N25

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