时间：2025/8/6 6:07:48
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IXTH340N04T4是一款由Littelfuse（前身为IXYS Corporation）制造的高电流、高速MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高功率和高效率的应用，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能。它采用TO-264封装，适用于各种工业和电力电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：40V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：340A
导通电阻(RDS(on))：最大值4.75mΩ
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-264
IXTH340N04T4的主要特性包括低导通电阻，这使得器件在导通状态下能够减少功率损耗并提高系统效率。
该MOSFET具有高电流容量，支持高达340A的连续漏极电流，适用于大功率应用。
此外，其高速开关特性可减少开关损耗，提高整体系统性能。
该器件还具备优异的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行。
TO-264封装提供了良好的散热性能，适合高功率密度设计。
此外，IXTH340N04T4具备高雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态条件下的耐用性。
IXTH340N04T4广泛应用于多种高功率电子设备中，例如DC-DC转换器、电机驱动器、电源管理系统以及工业自动化设备。
其高电流能力和低导通电阻使其成为高性能电源转换应用的理想选择。
在电动车和可再生能源系统中，该MOSFET也可用于功率调节和能量管理。
此外，该器件还适用于需要高可靠性和高效率的电信和服务器电源系统。
IXTH340N04T4可被IXTH320N04T4、IXTH360N04T4等型号替代，具体取决于电流和导通电阻的需求。
