型号：UT2N10
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：2A（@TC=70℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：8A
　　最大功耗（PD）：1.25W（@TA=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：≤0.8Ω（@VGS=10V）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：350pF（@VDS=50V）
　　输出电容（Coss）：100pF（@VDS=50V）
　　反向恢复时间（trr）：25ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

UT2N10采用先进的平面工艺技术制造，具备优异的电气性能和热稳定性，能够在高达100V的漏源电压下可靠工作，适合多种中压开关应用。其低导通电阻（RDS(on) ≤ 0.8Ω）有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率，特别适用于电池供电设备或对能效要求较高的电源系统。该器件的栅极阈值电压在2.0V至4.0V之间，兼容标准逻辑电平驱动信号，可直接由微控制器或驱动IC控制，简化了驱动电路设计。同时，UT2N10具有较高的输入阻抗和较小的驱动电流需求，进一步减少了控制电路的负担。
　　该MOSFET具备良好的开关特性，输入电容和输出电容较小，有助于实现快速的开关响应，减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关电源和PWM调光/调速等应用场景。其反向恢复时间较短（约25ns），能够有效抑制体二极管反向恢复引起的电压尖峰，提升系统在感性负载下的运行稳定性。器件采用TO-252封装，具有较大的散热片结构，可通过PCB铜箔或外接散热器有效散热，提升了在持续负载下的可靠性。
　　UT2N10还具备优良的抗雪崩能力和过载耐受性，能够在瞬态过压或浪涌电流条件下保持稳定工作，增强了系统的鲁棒性。其工作结温范围宽达-55℃至+150℃，可在恶劣环境温度下正常运行，适用于工业控制、汽车电子外围模块及户外设备等复杂工况。此外，该器件符合RoHS环保要求，无铅且绿色环保，满足现代电子产品对环保法规的合规性需求。综合来看，UT2N10是一款性能均衡、性价比高的N沟道MOSFET，适合广泛应用于各类中低功率开关与控制电路中。

UT2N10广泛应用于各类中低功率开关电源系统中，如AC-DC适配器、DC-DC升压或降压转换器，作为主开关管或同步整流管使用，利用其低导通电阻和高效率特性提升电源转换效率。在电机驱动领域，该器件可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，实现正反转控制与调速功能，适用于电动玩具、家用电器和自动化设备。此外，UT2N10也常用于LED照明驱动电路，作为恒流控制或PWM调光的开关元件，支持高效节能的照明方案。
　　在电源管理方面，该MOSFET可用于电池充放电保护电路、负载开关、热插拔控制等场合，凭借其快速响应能力和低静态功耗，有效防止过流与短路故障。在工业控制系统中，UT2N10可用于继电器驱动、电磁阀控制和传感器电源切换等数字开关应用，替代传统机械继电器，提高系统可靠性与寿命。同时，由于其封装紧凑且易于安装，也适用于空间受限的便携式电子设备，如移动电源、智能仪表和嵌入式控制模块。
　　在消费类电子产品中，UT2N10常见于电视机、机顶盒、路由器等设备的待机电源或辅助电源电路中，执行电源通断控制。其良好的热稳定性和抗干扰能力确保了长时间运行的稳定性。此外，在太阳能充电控制器、电动车电子锁、安防监控设备等新兴应用中，UT2N10也因其性价比高和供货稳定而被广泛采用。总之，该器件适用于所有需要高效、可靠、低成本N沟道MOSFET的中等功率开关与功率管理场景。

2N10U, FQP2N10, STP2N10, SI2302DS, APM2N10