时间：2025/4/29 11:28:40
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ZXMN10B08E6TA 是一款由英飞凌（Infineon）推出的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，采用 SOT-23 封装。该器件专为低电压应用而设计，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于负载开关、电机驱动、电源管理以及信号切换等场景。
该器件的最大漏源极电压为 10V，最大连续漏电流为 2.5A（在特定条件下），并具备出色的电气性能和热稳定性。由于其小型封装和高效能特点，ZXMN10B08E6TA 广泛应用于消费电子、工业控制及通信设备等领域。
型号：ZXMN10B08E6TA
类型：N沟道 MOSFET
封装：SOT-23
最大漏源极电压（Vds）：10V
最大栅源极电压（Vgs）：±8V
最大连续漏电流（Id）：2.5A（Tc=25°C）
最大功耗（Ptot）：340mW（Tamb=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.17Ω（Vgs=4.5V）
总电荷量（Qg）：典型值 2nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
1. 低导通电阻设计能够有效减少功率损耗，提高系统效率。
2. 具备快速开关能力，可满足高频应用需求。
3. 采用标准 SOT-23 封装，便于安装和集成。
4. 良好的热稳定性确保了器件在极端环境下的可靠性。
5. 支持低至 2.5V 的栅极驱动电压，非常适合电池供电设备。
6. 提供高静电防护能力，增强了抗干扰性能。
7. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代绿色设计。
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. 手机和平板电脑中的负载开关。
3. 便携式设备中的电池管理。
4. 小型电机驱动和控制。
5. LED 驱动器中的开关元件。
6. 数据通信接口保护与切换。
7. 各类消费电子产品中的信号路径控制。
ZXMN2F3A8TA, ZXMN3F3B8TAK, BSS138
