时间：2025/8/6 12:40:36
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IXTH260N055T2是一款由Littelfuse公司生产的高功率MOSFET晶体管，专为高电流、高效率的电源管理和功率转换应用而设计。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力以及优异的热性能，适用于工业电源、电机控制、电动汽车充电系统以及太阳能逆变器等领域。该MOSFET采用TO-247封装形式，具有良好的散热能力，能够支持持续的大电流工作条件。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：55V
最大漏极电流（Id）：260A
导通电阻（Rds(on)）：1.7毫欧（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：3V ~ 5V
最大功耗（Pd）：250W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装形式：TO-247
IXTH260N055T2具有多项优异的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。
首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为1.7毫欧，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。这对于需要高能效的电源设计至关重要。
其次，该器件的最大漏源电压为55V，最大漏极电流可达260A，能够在高电流条件下稳定工作，适用于高功率密度的设计场景。
此外，IXTH260N055T2采用了先进的封装技术，具备良好的热管理能力。TO-247封装形式不仅提供了优异的散热性能，还便于在PCB上安装和连接，提高了整体系统的可靠性。
该MOSFET还具有较高的短路耐受能力和抗过热能力，有助于在异常工作条件下保护器件免受损坏。这使得它在工业和汽车电子等高要求环境中具有出色的稳定性。
最后，该器件的栅极阈值电压范围为3V ~ 5V，适用于多种栅极驱动电路设计，便于与现代数字控制器和驱动IC配合使用。
IXTH260N055T2广泛应用于多个高功率电子系统中，尤其适用于需要高电流和低导通损耗的场景。
在工业电源领域，该MOSFET可用于DC-DC转换器、不间断电源（UPS）以及电机驱动系统，提供高效的功率转换能力。
在新能源领域，IXTH260N055T2适用于电动汽车充电模块、电池管理系统（BMS）以及太阳能逆变器等设备，能够有效提高能量转换效率并减少发热。
此外，该器件也适用于高功率LED照明驱动、服务器电源和储能系统等应用。其优异的热性能和高电流能力使其在紧凑型高功率密度设计中尤为受欢迎。
由于其高可靠性和良好的短路保护能力，IXTH260N055T2也常用于自动化控制系统、焊接设备和高频感应加热装置等工业设备中。
IXFH260N055T2, IXFN260N055T2, IRFP4468PbF
