类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：24A（在TC=100℃时）
　　导通电阻(Rds(on))：最大0.22Ω（在Vgs=10V时）
　　功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-247

IXTH24N50A具有多个关键性能优势，首先是其高耐压能力，最大漏源电压达到500V，使其适用于高压电源系统。其次，其导通电阻较低，在Vgs=10V时典型值为0.22Ω，有助于降低导通损耗，提高能效。
　　该器件采用了先进的平面技术，具有良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够在高电流和高电压条件下保持稳定运行。此外，IXTH24N50A的开关速度快，具备较低的开关损耗，有助于提高整体系统的效率并减少散热需求。
　　其TO-247封装提供了良好的散热性能，适合在高功率应用中使用，并具有较高的机械强度和耐久性。该MOSFET还具备良好的抗静电能力和过热保护特性，增强了系统的可靠性。
　　另外，IXTH24N50A在高温环境下的性能表现优异，工作温度范围从-55℃到+150℃，适用于各种恶劣环境条件下的应用，如工业控制、太阳能逆变器、UPS系统等。

IXTH24N50A广泛应用于各类功率电子系统中，主要包括：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、逆变器、电机驱动器、电池管理系统、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、工业自动化控制设备以及高电压直流输电系统等。
　　在电源管理领域，IXTH24N50A可作为主开关器件，用于构建高效能的电源转换电路。在电机控制应用中，它可用于驱动直流电机或步进电机，提供快速响应和高效能转换。此外，该器件在可再生能源系统（如太阳能逆变器）中也发挥着重要作用，负责将直流电转换为交流电以供电网使用。
　　由于其优异的导通和开关性能，IXTH24N50A也常用于高频开关电路，如谐振转换器和软开关拓扑结构，以提高效率并减小系统体积。在工业自动化和控制系统中，它可用于实现高精度的电流控制和功率调节。

STP24N50, FQA24N50, IRFP460, FDPF24N50