H5007A 时间：2025/12/27 7:59:57 阅读：16

H5007A是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效率和快速开关能力的电力电子系统中。该器件采用先进的平面栅极工艺制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力和优异的热稳定性，能够有效降低导通损耗并提升系统整体能效。H5007A的封装形式为TO-220或I2PAK等标准功率封装，便于散热设计与PCB布局，适用于工业控制、消费类电子产品以及汽车电子等多种应用场景。其引脚配置为标准三引脚结构（源极、漏极、栅极），兼容主流驱动电路设计，适合在中高功率密度场景下使用。此外，该器件还具备良好的抗雪崩能力与dv/dt鲁棒性，能够在瞬态过压和高温环境下稳定工作，提升了系统的可靠性与安全性。

参数

型号：H5007A
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大漏极电流（ID）：7A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.85Ω @ VGS=10V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2~4V
　　最大栅源电压（VGSS）：±30V
　　功耗（PD）：50W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220 / I2PAK

特性

H5007A具备出色的电气性能和热管理能力，其核心优势在于低导通电阻与高击穿电压之间的良好平衡。该器件的RDS(on)典型值仅为0.85Ω，在VGS=10V条件下可显著降低导通状态下的功率损耗，提高电源转换效率，特别适用于高频开关应用如反激式转换器、正激变换器及LED驱动电源中。同时，500V的额定电压使其能够应对大多数离线式电源输入要求，包括通用交流输入（85~265VAC）整流后的高压直流母线环境。
　　该MOSFET采用意法半导体成熟的平面制程技术，确保了器件的一致性和长期可靠性。其内部结构优化了电场分布，增强了器件在高压下的稳定性，并具备一定的抗雪崩能量承受能力，可在异常工况（如电感负载断开）下提供额外保护。此外，H5007A具有较低的输入电容和输出电容，有助于减少驱动损耗和开关延迟，从而支持更高的开关频率运行，缩小外围磁性元件体积，实现紧凑化设计。
　　在热性能方面，TO-220等封装形式提供了良好的热传导路径，配合散热片可有效将结温控制在安全范围内。器件的工作结温可达+150°C，满足严苛工业环境下的运行需求。其栅极阈值电压范围适中（2~4V），兼容常见的PWM控制器输出逻辑电平，避免误触发的同时保证充分导通。综合来看，H5007A在成本、性能与可靠性之间实现了良好折衷，是中小功率开关电源中的理想选择之一。

应用

H5007A主要应用于各类中等功率的开关模式电源系统中，例如适配器、充电器、LED照明驱动电源以及工业用DC-DC转换模块。由于其具备500V耐压能力，非常适合用于单端反激（Flyback）拓扑结构的离线式电源设计，尤其是在20~100W功率范围内表现优异。此外，该器件也常用于电机控制电路中作为功率开关元件，驱动小型直流电机或步进电机，广泛见于家电产品如洗衣机、风扇和空调室内机的控制板上。
　　在消费类电子产品中，H5007A可用于LCD电视、显示器电源板以及网络通信设备的辅助电源部分。其稳定的开关特性和较强的抗干扰能力，使其在电磁干扰较复杂的环境中仍能可靠工作。在工业自动化领域，该器件可用于PLC（可编程逻辑控制器）的电源模块或传感器供电单元，提供高效且耐用的功率切换功能。
　　另外，H5007A还可用于逆变器、UPS不间断电源和太阳能微逆系统中的直流侧开关环节，承担能量传输与通断控制任务。得益于其良好的热稳定性和较长的寿命，该器件也被应用于车载电子设备的次级电源管理系统中，尤其在非主驱系统的辅助电源部分有广泛应用前景。总之，凡涉及中压、中电流、高效率开关操作的场合，H5007A均是一个成熟可靠的解决方案。