类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　漏-源极击穿电压（VDS）：100V
　　栅-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.033Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

2SK1530Y MOSFET具有多个优良的电气特性，首先是其低导通电阻，这使得器件在高电流条件下具有更低的功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，其高击穿电压允许其在较高的电压环境下稳定工作，适用于多种高功率应用。该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持性能稳定，延长器件使用寿命。同时，其快速开关特性使得它非常适合用于高频开关电源和逆变器电路中。
　　该器件的封装形式为TO-220，便于散热和安装，适用于标准的PCB焊接工艺。此外，2SK1530Y的栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，提高了设计的灵活性。其高抗雪崩能力也增强了器件在突变负载条件下的可靠性，减少了意外损坏的风险。
　　在音频放大器应用中，2SK1530Y的低失真和高线性度特性使其成为高性能音频功率放大器的理想选择。同时，其紧凑的设计和高效率也使得它在便携式电子设备和汽车音响系统中得到了广泛应用。

2SK1530Y MOSFET主要用于以下几类应用：电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动器、音频功率放大器、电池充电器以及各类高功率开关电路。在音频放大器中，它常用于输出级以提供高保真功率输出。在工业控制和汽车电子中，该器件可用于电机控制和功率调节模块。此外，在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可用于高效率的电压转换，以降低能耗并提高系统稳定性。

2SK2313, 2SK1058, IRFZ44N