类型：IGBT模块
　　集电极-发射极电压（Vce）：1200V
　　额定集电极电流（Ic）：75A
　　短路电流能力：150A（10μs）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：模块封装
　　芯片技术：IGBT4
　　导通压降：约2.1V（在Ic=75A时）
　　反向恢复时间（trr）：典型值约200ns
　　安装方式：螺钉安装
　　散热器类型：带散热片

GT3528/Q2C-B45562C4CB2/2T 是一款基于英飞凌第四代IGBT技术（IGBT4）的功率模块，采用了先进的沟槽栅场截止（Trench Field-Stop）结构，提供了卓越的开关性能和导通损耗平衡。该模块内部集成了一个IGBT芯片和一个对应的反并联二极管，形成一个半桥拓扑结构，非常适合用于变频器和电机驱动等应用。
　　其主要特性之一是低导通压降（Vce_sat），在额定集电极电流75A条件下，典型值为2.1V，这有助于降低系统的导通损耗，提高整体效率。此外，该模块的开关损耗较低，尤其是在高频开关应用中表现出色，能够有效减少功率损耗和发热，从而提高系统的可靠性和使用寿命。
　　该模块的封装设计采用了高绝缘材料和结构，具备良好的电气隔离性能，可承受高达1200V的集电极-发射极电压（Vce），并能在极端环境温度下稳定工作（-40°C至+150°C）。模块还具备较强的短路承受能力，可在10μs内承受高达150A的短路电流，增强了系统的鲁棒性。
　　此外，GT3528/Q2C-B45562C4CB2/2T 模块采用螺钉安装方式，便于用户进行机械固定和散热管理。其内置的散热片有助于提高热传导效率，确保模块在高负载条件下仍能保持良好的工作温度。该模块符合RoHS环保标准，适用于需要高可靠性和高性能的工业电力电子设备。

GT3528/Q2C-B45562C4CB2/2T 广泛应用于各种高功率和高效率需求的电力电子系统中。例如，在工业变频器中，该模块用于实现交流电机的高效调速控制；在伺服驱动器和电机控制系统中，提供高精度的电流控制能力；在不间断电源（UPS）系统中，用于实现直流到交流的逆变功能，确保电力中断时的无缝供电切换。
　　此外，该模块还可用于工业自动化设备、电焊机、感应加热系统、风力发电变流器以及电动汽车充电设备等应用。由于其具备较高的短路承受能力和优异的热稳定性，非常适合在需要频繁开关和高可靠性要求的场合使用。
　　在电机驱动系统中，GT3528/Q2C-B45562C4CB2/2T 可以组成三相逆变桥，实现对电机的高效控制。其低导通压降和优化的开关特性有助于降低系统损耗，提高整体能效。同时，模块的紧凑设计和优良的散热性能也使得其在空间受限的应用中具备优势。

FGA25N120ANTD、IKW75N120H3、FF200R12KE4