时间：2025/7/8 19:30:34
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501R18N221JV4E 是一款由 Vishay 公司生产的功率 MOSFET 芯片，属于 SiRA490DP 系列。该器件采用 N 沟道技术，专为高频开关应用而设计，广泛应用于电源管理、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。
其出色的导通电阻和低栅极电荷特性使得它在高效能开关电路中表现出色，同时具备高可靠性和良好的热性能。
型号：501R18N221JV4E
类型：N 沟道功率 MOSFET
VDS（漏源极电压）：220V
RDS(on)（导通电阻）：0.47 Ω（典型值，在 VGS=10V 时）
ID（连续漏极电流）：1.6A
PD（总功耗）：28W
Qg（栅极电荷）：3 nC（典型值）
f（工作频率范围）：最高可达 1 MHz
封装：TO-252 (DPAK)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
501R18N221JV4E 提供了较低的 RDS(on)，从而减少了传导损耗，并提高了系统效率。
其小型化的 TO-252 封装使其能够适应紧凑型设计需求，同时保持良好的散热性能。
由于采用了先进的制造工艺，该芯片具有较高的雪崩耐量和抗 ESD 性能。
此外，其快速开关速度和低栅极电荷特性非常适合高频应用环境，进一步提升了整体性能表现。
501R18N221JV4E 广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的初级侧或次级侧开关元件。
2. 各类 DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET 或主开关管。
3. 电池管理系统 (BMS) 中作为负载开关或保护开关。
4. 电机驱动控制中的功率级开关元件。
5. LED 驱动器中的调光和调压控制组件。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输开关。
SiRA490DP, IRF530, BUK7Y0R1-22E
