类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大连续漏极电流（ID）：80A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大为8.0mΩ（在VGS=10V时）
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220、TO-247等

T6100C具有多项先进特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下仍然保持较低的功耗，提高了系统效率并减少了散热需求。其次，该器件支持高达80A的连续漏极电流，适用于需要高负载能力的电机驱动和电源转换器。此外，T6100C具备优良的热性能，能够在极端温度条件下稳定工作，从而提升了整体系统的可靠性。
　　T6100C还采用了先进的沟槽栅技术，使得器件在开关过程中具有更低的开关损耗和更平稳的电流控制。这使其适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器和逆变器系统。此外，其±20V的栅极-源极电压耐受能力提供了更高的抗干扰能力，减少了栅极驱动电路设计的复杂性。
　　在封装方面，T6100C提供多种选项，如TO-220和TO-247，便于用户根据不同的应用需求进行选择。TO-247封装通常用于更高功率密度的应用，而TO-220则更适合中等功率水平的场合。

T6100C广泛应用于多个高功率和高性能要求的电子系统中。在工业自动化领域，它常用于电机驱动器、伺服控制系统以及工业电源模块中，以提供高效、稳定的功率切换功能。在新能源领域，T6100C可用于太阳能逆变器和储能系统的功率转换电路中，帮助实现高效的能量转换和管理。
　　在汽车电子方面，T6100C适用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）和高压电池管理系统（BMS）等应用。其高耐压和高电流能力使其能够承受汽车环境中常见的电压波动和负载变化。
　　此外，T6100C还常用于各类消费类电源设备，如笔记本电脑的电源适配器、智能家电的功率控制模块以及LED照明系统的调光驱动器中。其高效的功率处理能力和紧凑的封装形式使其成为现代高密度电源设计的理想选择。

STP80NF10, IRF1404, FDP80N10