时间：2025/8/6 0:14:39
阅读：8
IXTH20N65X2 是一款由 Littelfuse（原 IXYS 公司生产）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-247 封装形式。该器件设计用于高电压、高频率和高效率的开关应用，具有低导通电阻、高耐压和优良的热稳定性。IXTH20N65X2 主要适用于电源转换器、DC-DC 转换器、电机控制、太阳能逆变器、UPS 系统以及工业自动化设备等功率电子系统中。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（Id）：20A
最大漏源电压（Vds）：650V
导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω（最大）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.1V ~ 4.0V
最大功耗（Ptot）：140W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-247
IXTH20N65X2 采用了先进的平面沟槽栅极技术和硅基工艺，具有出色的开关性能和低导通损耗。其最大漏源电压为 650V，能够在高压环境中稳定工作，适用于各种高电压功率转换应用。该器件的导通电阻 Rds(on) 最大为 0.35Ω，有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的效率。
此外，IXTH20N65X2 具有良好的热稳定性，能够在高温环境下运行，且具备较强的短路耐受能力，适用于对可靠性要求较高的工业和电源应用。其栅极驱动电压范围宽，通常为 10V 至 20V，确保了稳定的导通状态，并能与多种栅极驱动器兼容。
IXTH20N65X2 常用于多种功率电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、电机控制驱动器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、LED 照明驱动电源、工业自动化控制系统、高频焊接设备以及电动汽车充电系统等。
IXFN20N65X2, STP20N65M5, FQA20N65, IRFP4668, SPW20N60C3
