时间：2025/12/26 19:26:55
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IRLR8715CPBF是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率和高密度电源转换应用设计。该器件封装在D2PAK（TO-263）表面贴装封装中，具备优良的热性能和电流处理能力，适用于各种开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等场景。其低导通电阻RDS(on)特性可显著降低导通损耗，提高系统整体能效。此外，IRLR8715CPBF符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适合现代绿色电子产品的需求。该MOSFET经过优化，可在高频工作条件下保持稳定性能，并具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅极氧化层设计，增强了在恶劣环境下的可靠性。由于其出色的电气特性和稳健的封装形式，IRLR8715CPBF广泛应用于计算机主板VRM、笔记本适配器、LED照明驱动、电信电源系统以及工业控制设备中。
这款器件的工作结温范围宽广，通常可达-55°C至+175°C，使其能够在极端温度环境下可靠运行。同时，它具有快速开关速度，有助于减小外围滤波元件尺寸，从而实现更紧凑的电路设计。其栅极电荷（Qg）较低，意味着驱动电路所需的功耗较小，进一步提升了系统的能源效率。作为一款成熟且广泛应用的功率MOSFET，IRLR8715CPBF在市场上拥有良好的供应稳定性与技术支持资源，便于工程师进行设计导入与批量生产。
型号：IRLR8715CPBF
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：30V
最大连续漏极电流(ID)：130A
最大脉冲漏极电流(IDM)：520A
最大栅源电压(VGS)：±20V
导通电阻(RDS(on))：4.7mΩ @ VGS=10V, ID=65A
导通电阻(RDS(on))：6.2mΩ @ VGS=4.5V, ID=65A
阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 2.3V
输入电容(Ciss)：3900pF @ VDS=15V
输出电容(Coss)：950pF @ VDS=15V
反向恢复时间(trr)：28ns
栅极电荷(Qg)：59nC @ VGS=10V
功耗(PD)：200W
工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +175°C
封装形式：D2PAK(TO-263)
