IXTH19P20A 时间：2025/8/5 17:26:52 阅读：32

IXTH19P20A 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高电压、高效率功率转换应用设计，具有低导通电阻和优异的热性能，适用于电源开关、电机控制、DC-DC 转换器、负载开关等多种工业与消费类电子应用。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：19A（在 TC=25°C）
　　功耗（PD）：250W
　　导通电阻（RDS(on)）：0.085Ω（最大值，VGS=-10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247AC

特性

IXTH19P20A 具有优异的导通和开关性能，采用先进的平面技术制造，确保了低导通电阻和高可靠性。其高耐压能力（200V）使其适用于高电压应用，同时具备良好的抗雪崩能力，提升了器件在苛刻环境下的稳定性。
　　该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，允许使用标准的栅极驱动电路进行控制。在 VGS=-10V 时，RDS(on) 最大为 0.085Ω，显著降低了导通损耗，有助于提高整体系统效率。
　　此外，IXTH19P20A 采用 TO-247AC 封装，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。该封装形式也便于安装散热片，以提高热管理能力。
　　这款 MOSFET 还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和同步整流器。