HY57V1262GTR-60C 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高速、低功耗的DRAM系列,主要用于需要大量数据缓存和快速存取的应用场景。其具体的封装形式和容量使其适用于网络设备、工业控制设备以及嵌入式系统等领域。
型号:HY57V1262GTR-60C
容量:128MB
位宽:16位
封装类型:TSOP
工作温度范围:0°C 至 70°C
电源电压:2.3V - 3.6V
访问时间:60ns
时钟频率:166MHz
HY57V1262GTR-60C 是一款高速DRAM芯片,具备低功耗设计,适用于多种电子设备。其166MHz的时钟频率能够提供快速的数据存取能力,满足高性能系统的需求。芯片的访问时间为60ns,确保了快速响应和高效处理。此外,该芯片支持自动刷新和自刷新模式,有助于降低功耗并延长数据保持时间。其TSOP封装形式使得芯片易于安装和集成到电路板上。HY57V1262GTR-60C的工作温度范围为0°C至70°C,适用于大多数工业环境和嵌入式应用。
这款DRAM芯片还具备高可靠性和稳定性,适合用于需要长时间运行的系统,如网络设备、工业控制设备以及消费类电子产品。通过优化的存储器架构和先进的制造工艺,该芯片能够提供稳定的性能和较长的使用寿命。
HY57V1262GTR-60C 主要应用于需要大量缓存和快速数据存取的设备。常见的应用包括网络设备(如路由器和交换机)、工业控制设备、嵌入式系统以及消费类电子产品。该芯片的高速性能和低功耗特性使其非常适合用于数据密集型和对响应时间要求较高的应用场景。
IS42S16800G-60B, MT48LC16M16A2B4-60A