类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极电流（ID）：30A
　　漏极-源极电压（VDS）：60V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：22mΩ @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220、TO-263（D2PAK）等

GFH2230 的主要特性之一是其极低的导通电阻，使其在高电流应用中能够有效降低功率损耗并提升整体效率。采用先进的沟槽栅极技术不仅提高了器件的导电性能，还优化了热管理，确保在高负载条件下稳定运行。
　　此外，GFH2230 具有较高的栅极耐压能力（±20V），提高了其在复杂开关环境中的可靠性，降低了栅极氧化层击穿的风险。该器件的快速开关特性使其适用于高频工作环境，例如 DC-DC 转换器和同步整流器。
　　在封装方面，GFH2230 提供了 TO-220 和 TO-263（D2PAK）等常见功率封装形式，便于散热设计和 PCB 安装。TO-263 表面贴装封装特别适用于自动化生产和高密度电路设计。
　　该 MOSFET 还具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定，适用于电机驱动和感性负载控制等易产生反向电动势的场合。

GFH2230 广泛应用于各类电力电子系统中，特别是在需要高效率、高可靠性和高功率密度的场合。其典型应用包括：电源管理系统中的 DC-DC 转换器、同步整流模块、电池充放电控制器、电机驱动电路、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制模块。
　　由于其优异的导通特性和高频响应能力，GFH2230 特别适合用于开关电源（SMPS）中的主开关元件或同步整流器。在电动工具、电动车和储能系统中，GFH2230 也常用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路，以确保电池组的安全高效运行。
　　此外，GFH2230 还可用于高功率 LED 驱动器、热插拔电源模块、服务器电源供应器等需要高电流承载能力和良好热性能的场合。

IRFZ44N, FDP3632, FQP30N06L, SiRA14R