时间：2025/8/5 17:13:40
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IXTH17N60A是一款由Littelfuse（原IXYS公司）制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种高功率开关电路中。该器件采用了先进的平面技术，具备优异的导通和开关性能，适用于电源转换、电机控制、逆变器、充电器等高功率应用场合。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：17A
漏极-源极电压（Vds）：600V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.23Ω（最大）
功率耗散（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXTH17N60A具有出色的导通和开关性能，其低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和较高的耐压能力，能够在高电压和高电流环境下稳定工作。其TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于在各种电路设计中进行安装和使用。
该器件还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，能够有效减少开关损耗。其坚固的结构设计和良好的可靠性，使其在恶劣的工业环境中也能保持稳定的性能。同时，IXTH17N60A具备较强的抗过载和短路能力，能够有效保护电路免受异常情况的损害。
IXTH17N60A广泛应用于各种高功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统等。在这些应用中，该MOSFET能够提供高效、稳定的功率控制能力，确保系统在高负载条件下依然能够保持良好的运行状态。此外，它也可用于电池充电器、功率因数校正（PFC）电路以及各类DC-DC转换器中，帮助提高能源利用效率并减少热量产生。
IXFH17N60P, IRFPG50, FGA25N60SMD, STP17N60DM2
