型号：CPH5801-TL
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：60V
　　连续漏极电流ID：1.4A @ 25°C
　　脉冲漏极电流IDM：5.6A
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on)：85mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻RDS(on)：110mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容Ciss：290pF @ VDS=30V
　　输出电容Coss：110pF @ VDS=30V
　　反向传输电容Crss：40pF @ VDS=30V
　　栅极电荷Qg：6nC @ VGS=10V
　　功耗PD：350mW
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围Tstg：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

CPH5801-TL采用先进的沟道MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提高系统的整体能效。其RDS(on)在VGS=10V时仅为85mΩ，在VGS=4.5V时也仅为110mΩ，表明该器件即使在较低的栅极驱动电压下也能保持良好的导通性能，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景。
　　该器件具有快速的开关响应能力，得益于其较小的输入、输出和反向传输电容，使得在高频开关应用中能够有效降低开关损耗。其输入电容Ciss为290pF，输出电容Coss为110pF，Crss为40pF，这些参数共同决定了器件的开关速度与米勒效应的影响程度。此外，栅极电荷Qg仅6nC，进一步降低了驱动电路所需的能量，提高了电源转换效率。
　　CPH5801-TL的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，能够在恶劣的环境条件下稳定运行，适用于工业级和部分汽车电子应用。其封装形式为SOT-23，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，并支持自动化贴片生产流程。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性与可靠性，经过严格的质量控制和可靠性测试，确保长期运行中的性能一致性。同时，它具有较强的抗瞬态过压能力，能够在一定程度上承受电压尖峰冲击，增强了系统安全性。综合来看，CPH5801-TL是一款性价比高、性能稳定的功率MOSFET，特别适合对空间、效率和成本都有较高要求的设计方案。

CPH5801-TL常用于各类中小功率电源管理系统中，典型应用场景包括同步整流型DC-DC升压或降压转换器，作为高端或低端开关管使用；也可用于锂电池供电设备中的充放电控制回路或负载开关电路，实现电源通断控制以节省能耗。此外，该器件适用于便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机、移动电源等内部的电压调节模块。
　　在电机控制方面，CPH5801-TL可用于微型直流电机或步进电机的驱动电路中，尤其是在玩具、小型风扇、振动马达等低功率驱动场合表现良好。它还可作为LED背光或指示灯的恒流驱动开关，配合限流电阻或专用驱动IC实现亮度调节功能。
　　工业控制领域中，该器件可用于传感器信号调理电路中的模拟开关，或者作为PLC模块中的数字输出通道开关元件。由于其具备一定的过载承受能力，也可用于短时峰值电流负载的切换任务。
　　此外，CPH5801-TL因其小型化封装和高集成度特点，也被广泛应用于各种适配器、充电器、USB电源管理单元以及热插拔保护电路中，提供可靠的开关控制和过流隔离功能。其广泛的适用性和成熟的供应链保障了大批量生产的可行性。

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