时间：2025/8/5 16:32:02
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IXTH15P20A 是由 Littelfuse（原IXYS公司）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高频率开关应用而设计，适用于工业控制、电源管理、电动工具、电池管理系统等领域。IXTH15P20A采用了先进的Trench沟槽技术，具有较低的导通电阻和优异的热性能，能够在高电压和高电流条件下稳定工作。
类型：MOSFET（N沟道增强型）
漏源电压（VDS）：200V
漏极电流（ID）：15A
导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω @ VGS=10V
栅极电压范围：-20V 至 +20V
最大工作温度：150℃
封装形式：TO-220AB
安装类型：通孔安装
IXTH15P20A 是一款高性能功率MOSFET，其核心优势在于其低导通电阻和优良的热稳定性。该器件在设计上采用了先进的Trench沟槽技术，使得在200V电压下，RDS(on)仅为0.18Ω，从而有效降低了导通损耗，提高了整体能效。这种低导通电阻特性对于高电流应用尤为重要，有助于减少功率损耗和热量生成。
此外，IXTH15P20A具有较高的最大漏极电流能力，额定值为15A，使其能够承受较大的瞬态负载。其漏源电压（VDS）达到200V，适合用于中高功率的开关电源、电机控制和逆变器系统。器件的栅极电压范围为-20V至+20V，具有较好的抗干扰能力和驱动兼容性。
IXTH15P20A 广泛应用于多个领域，包括但不限于工业自动化控制、直流-直流转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动工具、开关电源（SMPS）以及功率因数校正（PFC）电路等。其高电压和高电流能力使其成为许多中高功率系统的理想选择。
STP15NF20, FDP15N20, FQA15N20C
