TD1030-Q30020B是一款高效能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动以及DC-DC转换器等领域。该器件采用了先进的沟槽式工艺技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,从而显著降低了功率损耗并提升了系统效率。
型号:TD1030-Q30020B
类型:N-Channel MOSFET
封装形式:TO-220
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):20A
导通电阻(RDS(on)):3.5mΩ (典型值,VGS=10V)
总功耗(Ptot):100W
工作温度范围(Top):-55℃至+175℃
TD1030-Q30020B具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻确保了在大电流应用中的高效运行。
2. 快速开关能力使其适合高频操作场景。
3. 高雪崩能量耐受能力增强了产品的可靠性。
4. 符合RoHS标准,支持环保要求。
5. 提供卓越的热性能,有助于散热设计的简化。
6. 具有强大的过流保护功能,提升整体系统的安全性。
该芯片广泛应用于各类电力电子领域,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流电路。
2. 工业自动化设备中的电机控制与驱动。
3. 电池管理系统(BMS)中的充放电管理。
4. 各种消费类电子产品的负载开关。
5. DC-DC转换器中的主开关元件。
6. LED照明系统的恒流驱动电路。
IRFZ44N, FDP5502, AO3400