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GA1206A1R8DBBBT31G 发布时间 时间:2025/5/12 19:05:45 查看 阅读:21

GA1206A1R8DBBBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。该器件采用了先进的沟槽式工艺技术,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,从而有效提升了系统的效率和可靠性。
  该芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET,支持高频率工作,适用于对效率和热性能要求较高的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:120A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:95nC
  输入电容:4150pF
  总电荷:135nC
  反向恢复时间:80ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206A1R8DBBBT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高整体系统效率。
  2. 快速开关性能,能够支持高频应用。
  3. 优化的栅极电荷设计,可减少开关损耗。
  4. 高电流承载能力,适合大功率应用环境。
  5. 强大的散热性能,确保在高温环境下仍能稳定运行。
  6. 具备良好的雪崩能力和 ESD 防护性能,增强了器件的可靠性和耐用性。
  7. 小尺寸封装,便于 PCB 布局和系统集成。

应用

这款 MOSFET 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器中的主开关管。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. DC-DC 转换器和电池管理系统。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
  6. 汽车电子系统中的各种功率转换模块。
  由于其出色的性能和可靠性,该芯片特别适合需要高效功率管理的应用场景。

替代型号

GA1206A1R8DBBCT31G, IRF2807ZPBF, FDP158N06L

GA1206A1R8DBBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容1.8 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-