HFP75N75 时间：2025/6/29 0:17:42 阅读：6

HFP75N75是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件具有低导通电阻和高耐压能力，适用于多种电力电子应用场合。其额定电压为750V，额定电流为75A，能够在高频开关条件下提供优异的性能。
　　该MOSFET主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器、不间断电源（UPS）等场景。其出色的开关特性和较低的导通损耗使其成为工业和消费类电子产品中的理想选择。

参数

最大漏源电压：750V
　　连续漏极电流：75A
　　栅极-源极电压：±20V
　　导通电阻：0.18Ω
　　功耗：360W
　　工作结温范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220

特性

HFP75N75的主要特性包括：
　　1. 高击穿电压：能够承受高达750V的漏源电压，适用于高压环境。
　　2. 低导通电阻：在额定条件下，导通电阻仅为0.18Ω，从而减少传导损耗。
　　3. 快速开关速度：具备快速的开关能力，适合高频应用。
　　4. 热稳定性强：支持宽泛的工作温度范围（-55℃至+150℃），确保在极端条件下的可靠性。
　　5. 小信号控制：低栅极电荷设计使器件更容易通过小信号驱动电路进行控制。
　　6. TO-220封装：易于安装和散热设计，便于集成到各种系统中。

应用

HFP75N75广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管或同步整流管使用。
　　2. 电机驱动：用于控制直流电机或步进电机的速度和方向。
　　3. 逆变器：在光伏逆变器或电池逆变器中实现高效的能量转换。
　　4. 不间断电源（UPS）：为关键设备提供稳定的备用电源支持。
　　5. 工业自动化：如可编程逻辑控制器（PLC）中的开关元件。
　　6. 汽车电子：如电动车窗、座椅调节等车载系统中的驱动元件。