类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：550V
　　漏极-栅极电压(Vdg)：550V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：15A（Tc=25℃）
　　功率耗散(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　存储温度范围：-55℃至+150℃
　　封装：TO-220

IXTH15N55具备多项优异的电气和物理特性，使其在高压和高功率应用中表现出色。其主要特性包括：
　　1. **高电压和高电流能力**：该MOSFET的漏极-源极额定电压为550V，连续漏极电流为15A，适用于高电压功率转换应用，如开关电源（SMPS）和工业电机驱动。
　　2. **低导通电阻**：Rds(on)的典型值为0.45Ω，确保在高电流下导通损耗最小，提高电源效率。
　　3. **高速开关特性**：由于其先进的制造工艺，IXTH15N55具有快速的开关速度，减少了开关损耗，适用于高频操作环境。
　　4. **过热保护**：内部结构设计优化，提高了器件的热稳定性，有助于防止过热损坏。
　　5. **坚固的封装设计**：采用TO-220封装，具有良好的散热性能，确保在高功率操作下的可靠性。
　　6. **宽工作温度范围**：可在-55℃至+150℃的环境下稳定工作，适合各种工业和恶劣环境的应用需求。

IXTH15N55广泛应用于需要高压、高效率和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括：
　　1. **开关电源（SMPS）**：如AC-DC电源适配器、服务器电源和工业电源系统。
　　2. **DC-DC转换器**：适用于高输入电压的DC-DC变换电路，如升压（Boost）和降压（Buck）转换器。
　　3. **电机驱动和逆变器**：用于控制工业电机、电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
　　4. **电源管理系统**：如电池充电器、不间断电源（UPS）和储能系统。
　　5. **照明系统**：用于LED驱动和高效能照明控制电路。

IRF840, FQA16N50, STP15NK50Z, IXTP14N55