齐纳电压：4.3V
　　齐纳测试电流：5mA
　　最大齐纳电流：120mA
　　最大耗散功率：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-123
　　最大反向漏电流（VR=3.8V时）：100nA
　　动态电阻（在IZT）：75Ω

LM3Z4V3T1G 齐纳二极管具有多项优异的电气和机械特性，适合高可靠性和高稳定性的应用需求。首先，其齐纳电压精度高，确保在4.3V±5%范围内，适用于需要精确电压参考的电路设计。其次，该器件的动态电阻较低，在齐纳测试电流（IZT）下仅为75Ω，有助于减小电压波动，提高电压调节的稳定性。
　　此外，LM3Z4V3T1G 采用SOD-123小型表面贴装封装，体积小巧，便于在空间受限的PCB布局中使用。其最大功耗为300mW，能够在较高环境温度下稳定工作。器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适用于各种工业和消费类电子产品。
　　该齐纳二极管的反向漏电流在较低反向电压下（VR=3.8V）不超过100nA，有助于降低待机功耗，适用于低功耗设计。同时，该器件具有良好的温度系数，在宽温度范围内保持稳定的齐纳电压输出，适合用于高稳定性要求的模拟电路和电源管理模块。

LM3Z4V3T1G 主要用于需要4.3V基准电压或电压钳位保护的电子电路中。常见应用包括：模拟和数字电路中的电压参考源、电源管理单元中的稳压电路、电池管理系统中的过压保护、ADC参考电压源、嵌入式系统的电压监测电路、工业控制设备中的信号调节电路，以及便携式设备中的低功耗稳压电路。
　　在实际设计中，该齐纳二极管常与运算放大器配合使用，构成精密电压参考源；也可用于USB电源接口的过压保护，防止设备因电压过高而损坏；在LED驱动电路中，也可作为恒流控制的参考电压。此外，它还可用于传感器电路中，提供稳定的偏置电压或参考电压，确保测量精度。
　　由于其小型化封装和优良的电气性能，LM3Z4V3T1G 也广泛应用于通信设备、智能穿戴、医疗电子、汽车电子等对尺寸和可靠性要求较高的领域。

BZX84-C4V3, MMSZ4685T1G, 1SMA4V3T, PZM4.3N