628A330是一款由Vishay Siliconix生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,采用SMA(DO-214AC)封装。该器件集成了两个独立的肖特基二极管,采用共阴极配置,适用于需要高效、低功耗整流和反向极性保护的应用场景。由于其采用了肖特基技术,628A330具有较低的正向电压降和快速的开关响应时间,使其在高频开关电源、DC-DC转换器和输入保护电路中表现出色。该器件广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和便携式电子产品中。628A330的设计符合RoHS指令要求,不含铅和有害物质,适合环保型产品制造。其SMA封装形式便于自动化贴片生产,提高了组装效率和产品可靠性。此外,该器件具备良好的热稳定性和较高的峰值反向电压承受能力,能够在较宽的温度范围内稳定工作,适用于对空间和能效有较高要求的紧凑型电子设计。
类型:双肖特基势垒二极管
配置:共阴极
封装:SMA(DO-214AC)
最大重复反向电压(VRRM):30V
最大直流反向电压(VR):30V
最大正向电流(IF):2A
峰值正向浪涌电流(IFSM):50A(8.3ms单半正弦波)
最大正向电压(VF):0.57V @ 1A(每二极管)
最大反向漏电流(IR):0.5mA @ 25°C,30V
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
储存温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
热阻(RθJA):60°C/W(典型值)
热阻(RθJC):15°C/W(典型值)
628A330的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,这种结构通过金属-半导体结代替传统的PN结,显著降低了正向导通电压,从而减少了功率损耗并提高了系统效率。在典型的1A工作电流下,其正向压降仅为0.57V左右,相比标准硅二极管可降低约30%-40%的导通损耗,这在电池供电或高密度电源设计中尤为重要。此外,由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件,不存在少数载流子存储效应,因此具备极快的反向恢复速度,几乎无反向恢复电荷(Qrr),极大地抑制了开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI),提升了高频应用下的整体性能。
该器件的双二极管共阴极结构使其非常适合用于双路同步整流、输入反接保护以及双通道输出隔离等应用场景。例如,在双电源系统中,可以利用该结构实现两个正电源轨的独立保护与隔离;在H桥驱动电路中,可用于续流路径的构建。SMA封装提供了良好的散热性能和机械稳定性,同时保持较小的占板面积,适应现代电子产品小型化趋势。器件经过严格的老化测试和可靠性验证,具备出色的抗湿性、耐焊接热冲击能力和长期稳定性。其最大反向漏电流在高温条件下仍保持较低水平,确保在恶劣环境下的可靠运行。此外,该器件具有较强的浪涌电流承受能力,50A的峰值电流可在短时间内安全通过,增强了系统应对瞬态过载的能力。
628A330广泛应用于多种电子系统中,尤其适合对效率和空间有严格要求的设计。常见应用包括开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、同步整流电路、电池充电管理模块和便携式设备电源管理系统。在这些应用中,其低正向压降有助于提升整体转换效率,延长电池续航时间。此外,它常被用作输入电源的反向极性保护元件,防止因电源接反而损坏后级电路,广泛见于USB供电设备、嵌入式控制器和工业传感器模块中。在电机驱动和继电器驱动电路中,628A330可用于抑制感性负载产生的反电动势,提供可靠的续流路径,保护开关器件如MOSFET或晶体管。其快速响应特性也使其适用于高频整流场合,如无线充电接收端的整流桥部分。在通信设备中,可用于信号路径的钳位与保护,防止静电放电(ESD)或电压瞬变对敏感电路造成损害。由于其环保合规性和表面贴装特性,628A330也广泛用于自动化生产线上的消费类电子产品组装,如智能手机、平板电脑、智能家居设备和可穿戴装置。
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